IPA80R1K0CE دیتاشیت

IPA80R1K0CE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPA80R1K0CE
حجم فایل 33.143 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت IPA80R1K0CE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPA80R1K0CE
  • Power Dissipation (Pd): 32W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 800V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.7A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 950mΩ@10V,3.6A
  • Package: TO-220F-3
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه